微波去膠機,特別是微波等離子去膠機,在半導體加工、薄膜工藝等領域應用廣泛,根據不同的光刻膠類型、基底材料和工藝要求,準確調整微波功率、真空度、氣體流量等參數,以確保去膠效果和基底不受損傷;微波具有一定的輻射危害,操作人員需采取相應的防護措施...
在實際的工藝操作中,旋涂顯影系統的操作流程嚴謹且規范,將經過預處理的硅片放置在旋轉臺上,并通過真空吸附或其他固定裝置確保硅片在旋轉過程中不會發生位移或晃動。然后,根據工藝要求選擇合適的光刻膠,并利用膠液分配裝置將光刻膠施加到硅片表面。接著,...
薄膜沉積系統作為現代材料科學與微納加工技術領域中的核心設備之一,其發展與應用深刻影響著半導體制造、光學鍍膜、能源材料開發以及生物醫學工程等多個前沿領域。該系統通過精確控制原子或分子在基底表面的沉積過程,形成具有特定功能特性的薄膜結構,為器件...
太陽能電池大多由單晶硅或多晶硅制成,將晶硅錠加工成太陽能電池需要一系列制造工藝,包括晶圓切割、制絨、酸洗、擴散、刻蝕、減反膜沉積、激光開槽、接觸印刷等。下圖為工藝流程中的測量節點。太陽能電池工藝流程中的量測節點,包括金剛石切割線的表面形貌、...
在半導體芯片等器件工藝中,后道制程中的金屬連接是經過金屬薄膜沉積,圖形化和蝕刻工藝,最后在器件元件之間得到導電連接。對于半導體、PCB、平板顯示器、太陽能應用和研發等不同行業,對各種金屬層(包括導電薄膜、粘附層和其他導電層)都有各種各樣的電...
電池的應用極為廣泛,其通常以電化學反應池的形式為各類裝置供電。電池內在失效和劣化對電池性能有重大影響,而其機制依賴于不同組成材料之間的電化學反應和納米力學相互作用。下一代電池要求高能量密度和高充放電倍率(C-rate,充放電速率的一種衡量標...
隨著器件尺寸不斷縮小,表面翹曲度可能引發一些問題從而影響器件的正常功能。在半導體中,薄膜應力對半導體能帶隙偏移、超導轉變溫度和磁各向異性等電子特性有直接影響。在器件制造過程中,監控因薄膜沉積而產生的應力至關重要。在薄膜層面,應力通常會影響薄...
圖像轉移,也稱為光刻技術(或簡稱光刻),在PCB的電路圖形方面發揮關鍵作用。它能實現復雜和精確的連接,以支持在更小的區域實現更多連接。隨著對更高密度的電路板和更小線寬間距的需求不斷增加,線路必須以高精度和均勻度制成。針對先進應用,各種先進I...
鈣鈦礦材料因其優異的光電特性,近年來一直受到高度關注。相應的鈣鈦礦太陽能電池在柔性太陽能電池領域和疊層太陽能電池領域也有廣泛應用前景。早在2009年,鉛基鈣鈦礦材料第一次被應用到太陽能電池中,其光電轉化效率為3.8%1。近些年來,通過組分調...
在全球各國努力減少碳足跡與追尋可持續能源的大背景下,太陽能行業經歷了顯著增長。在基于晶體硅(c-Si)的多種工藝路線中,隧穿鈍化接觸太陽能電池(TOPCon)因其高光伏轉換效率(PCE)和高性價比而脫穎而出。目前工業TOPCon電池的最高P...