圖像轉(zhuǎn)移，也稱為光刻技術(shù)（或簡(jiǎn)稱光刻），在PCB的電路圖形方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。它能實(shí)現(xiàn)復(fù)雜和精確的連接，以支持在更小的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)更多連接。隨著對(duì)更高密度的電路板和更小線寬間距的需求不斷增加，線路必須以高精度和均勻度制成。  

針對(duì)先進(jìn)應(yīng)用，各種先進(jìn)IC載板（ICS），如條狀覆晶 - 芯片尺寸封裝（FC-CSP）和覆晶芯片球柵陣列（FC-BGA）需要高分辨率和準(zhǔn)確度。

光刻對(duì)于先進(jìn)IC載板 - 其特點(diǎn)是單元尺寸大，層數(shù)高和細(xì)線路 - 圖形轉(zhuǎn)移為制造商帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，特別是在表面高低不均的情況下成像。IC載板制造商必須制造極細(xì)的圖形，這需要出色的對(duì)位精度和覆蓋精度。

概括地說(shuō)，制造商面臨著三個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)：

• 實(shí)現(xiàn)均勻細(xì)線路，避免拼接問(wèn)題

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• 提高層與層的對(duì)位精度

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• 保持高產(chǎn)能和效率
  
  

線寬品質(zhì)

隨著IC載板架構(gòu)復(fù)雜度的增加，層數(shù)增多，更大的主體，x-y軸的失真和高低差的變化（z軸）給IC載板制造帶來(lái)了重大挑戰(zhàn)。更具體地說(shuō)，當(dāng)對(duì)先進(jìn)載板成像時(shí)，拼接問(wèn)題（即線寬/間距的偏移或偏差）因表面高低不平而加劇，導(dǎo)致良率下降。

先進(jìn)的板級(jí)封裝技術(shù)需具有

出色精度的超精細(xì)、高度均勻的線條

現(xiàn)有的解決方案（如數(shù)字微鏡器件（DMD）、直接成像（DI）和Stepper）無(wú)法解決這兩種挑戰(zhàn)。高且連續(xù)的景深（DOF）和先進(jìn)的補(bǔ)償機(jī)制是克服這兩種挑戰(zhàn)的必要條件。

此外，對(duì)于高頻應(yīng)用，線寬均勻度和邊緣粗糙度帶來(lái)了額外的挑戰(zhàn)，因?yàn)楸３志€路均勻性是實(shí)現(xiàn)最佳傳輸和信號(hào)完整的關(guān)鍵。

層間對(duì)位，實(shí)現(xiàn)更高精度

隨著封裝功能的增加，優(yōu)化層間對(duì)位至關(guān)重要，通過(guò)較小的焊盤設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更多的IO（及連續(xù)的凸點(diǎn)）。通過(guò)實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的漲縮演算法和高精度的平臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。同時(shí)，對(duì)位優(yōu)化不影響載板尺寸。

漲縮算法可以幫助實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的層間對(duì)齊

產(chǎn)能和效率

產(chǎn)能和效率是縮短上市時(shí)間 (TTM) 和低擁有成本 (COO) 的關(guān)鍵。增加區(qū)域或分區(qū)的數(shù)量，特別是在先進(jìn)的 FC-CSP 和模塊中，會(huì)降低設(shè)備產(chǎn)能，增加制造成本。此外，對(duì)于先進(jìn)的 FC-BGA，目前使用的主要影像轉(zhuǎn)移解決方案是Stepper，需要光罩，從而導(dǎo)致更長(zhǎng)的上市時(shí)間和較高的成本。

KLA 對(duì) IC 載板光刻工藝的方法

KLA 的產(chǎn)品組合包括多種直接成像解決方案，旨在應(yīng)對(duì)當(dāng)前和未來(lái)的光刻挑戰(zhàn)。我們的 Corus™ 直接成像平臺(tái)的市場(chǎng)證明了其作為一種靈活高效的成像解決方案的優(yōu)秀能力。

對(duì)于先進(jìn)的 IC 載板應(yīng)用，KLA 的 Serena™ 平臺(tái)剛剛推出，代表了超越Stepper的新光刻平臺(tái)類別。這種創(chuàng)新的數(shù)字解決方案專為大尺寸、高層數(shù)有機(jī)內(nèi)層的細(xì)線圖形設(shè)計(jì)，提高了精度和良率。