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Trion Orion III PECVD薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。*的反應(yīng)器設(shè)計可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全，設(shè)施和工藝標(biāo)準(zhǔn)要求。

PECVD沉積可選配一個三極管（Triode）或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而控制薄膜應(yīng)力。