光刻膠去除劑

?EUV Surfactant Rinse (SR) – 適用于極紫外光刻膠的防圖案坍塌技術(shù)

?EUV Mask Cleans (MC) – 無(wú)關(guān)鍵尺寸（CD）損失的掩膜清洗技術(shù)

?Si Etchant –高選擇性硅蝕刻試劑系列（針對(duì) 二氧化硅/氮化硅的硅蝕刻）

?Eco-friendly cleans solutions – 無(wú) NMP、無(wú)鄰苯二酚，SPM 及 TMAH 的替代工藝

相關(guān)產(chǎn)品

光刻膠去除劑與剝離劑

?EKC830 –正性光刻膠去除

?EKC865 –在不損傷敏感金屬的前提下去除正性光刻膠（在使用 Remover 1165的時(shí)候）

?EKC922 –在不損傷固化或半固化聚酰亞胺的前提下，同時(shí)去除正性和負(fù)性光刻膠

LED、TSV、WLP 清洗試劑

?EKC162–用于去除作為 TSV（硅通孔）掩膜的光刻膠；兼容通過(guò)焊料電鍍或模板印刷實(shí)現(xiàn)的晶圓凸塊工藝，適用于銅（Cu）和砷化鎵（GaAs）材料

?EKC175–為去除基于等離子體工藝的類似 TSV（硅通孔）的光刻膠殘留物，需具備可水洗且與鋁兼容的特性

?EKC830–為去除干法刻蝕 TSV（硅通孔）工藝中形成的頑固刻蝕后殘留物，以實(shí)現(xiàn)無(wú)缺陷的通孔填充工藝

?EKC922 –用于去除負(fù)性光刻膠，兼容砷化鎵（GaAs）及種類極其廣泛的金屬材料

用于鋁（Al）和銅（Cu）互連結(jié)構(gòu)的蝕刻后殘留物去除劑（PERR）

?EKC265–用于去除蝕刻工藝后產(chǎn)生的光刻膠殘留物，無(wú)論是否經(jīng)過(guò)氧灰化處理均有效

?EKC270(T)–用于去除灰化后的光刻膠殘留物、有機(jī)聚合物及有機(jī)金屬蝕刻殘留物，同時(shí)提升了與鈦（Ti）的兼容性。

?EKC2100–用于清潔蝕刻后殘留物，適用于單晶圓設(shè)備，與低溫氧化物（LTO）和氧化銦錫（ITO）具有良好的兼容性

?EKC6800–用于清潔蝕刻后殘留物的系列產(chǎn)品，與鋁（Al）和銅（Cu）互連結(jié)構(gòu)兼容，具備低工藝溫度特性

?EKC580/EKC590–用于去除銅（Cu）互連結(jié)構(gòu)蝕刻后殘留物的半水性化學(xué)制劑，與超低介電常數(shù)（ULK）電介質(zhì)薄膜兼容

PCMP清洗劑適用于前端工藝（FEOL）中的氧化鈰、多晶硅、二氧化硅材料，中端工藝（MEOL）中的鎢材料，以及后端工藝（BEOL）中的銅材料制程

?PCMP2110系列–氧化鈰漿料化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）清洗產(chǎn)品，專為前端工藝（FEOL）、中間段工藝（MEOL）及存儲(chǔ)陣列層中使用氧化鈰 CMP 漿料后晶圓的清洗而設(shè)計(jì)

?PCMP3210系列–化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）后鎢互連清洗產(chǎn)品，兼容鎢（W）和鈷（Co）材料，在 TEOS（四乙氧基硅烷）或氮化硅（SiN）表面具有極低的缺陷率

?EKC2100–用于清潔蝕刻后殘留物，適用于單晶圓設(shè)備，與低溫氧化物（LTO）和氧化銦錫（ITO）具有良好的兼容性

?PCMP5600系列–化學(xué)機(jī)械拋光后銅互連結(jié)構(gòu)清洗液（PCMP5610/5620/5615/5650）